弹性且完善的SoC设计服务

抗辐照加固设计

● 设计用于空间和核应用的抗辐射IC，这些 IC 可耐受单次事件和总电离剂量效应。 通过提供 ASIC 解决方案、定制 IC 设计服务或 IP 许可来满足客户的需求。 可以轻松使用各种辐照设施，例如 X 射线、钴 60、双光子吸收激光、重离子和质子。

● 定制抗辐射C设计的一站式服务：可行性研究、设计规范、芯片设计、原型设计、测试台定义、电气特性和辐射评估。

● 抗辐射模拟/混合信号 IP 模块，并具有出色的 TID 和 SEE 容限，帮助客户快速开发产品。

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后端设计服务

● 提供0.35/0.25um至90nm/65nm/55nm40nm/28nm/16nm/14nm所有工艺节点的设计服务

● 提供Synthesis、Static Timing Analysis (STA)、Physical Design & Verification、Logic Equivalence Check (LEC)、Sign Off、DFT、PR及PV服务

1. Constraints Preparation and Validation

2. Logic Synthesis and Physical Synthesis

3. Physical Design (IO ring, Floor planning, PG Planning, Place, Optimization for Timing and Power, Clock Tree Synthesis, Routing, Post Route Optimization) on multi-million gate designs

4. Low Power Expertise – Clock Gating, Multi-Vt, Voltage Islands, Power Gating

5. EM & IR drop analysis, SI Closure

6. Timing Closure and Static Timing Analysis

7. Physical Verification (DRC/ERC/LVS)

8. ......

● 提供多电源与低功耗的设计

● 代工厂:TSMC, UMC, SMIC、Global Foundry, Tower Jazz, Samsung ，etc.

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IP解决方案

● 单元库Rek和定制

● 客观公正的提供IP咨询服务

● 提供可靠、高性价比的IP解决方案

● 提供第三方IP定制方案


根据客户特殊的PVT需求进行Rek

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特殊的单元定制和DK产生

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十年一线大厂的单元定制经验，主要涉及高速和低功耗设计：

面向工艺主要是几大主流厂商

工艺节点主要包括40nm，28nm，14nm，8nm及7nm

有丰富的电路和版图设计经验

配合后端团队达到最大的性能、功耗和物理利用效率

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晶圆流片服务

● 提供从芯片设计到流片的一站式服务

● 提供tape-out、 IP merge及LVS等相关服务

● 提供从0.35um到14nm最经济实惠的MPW服务

● TSMC, UMC, SMIC、Global Foundry, Tower Jazz, 华润上华，华虹宏力，东部，SK海力士等代工渠道。

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封装测试服务

● 一站式服务，加快客户产品time-to-market的时间

● 提供与晶圆厂相结合的CP、FT测试服务

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